好在三星是负责任的，承诺的新固件也终于来了，今天就为840 EVO放出了新版本“EXT0DB6Q”。
由于掉速问题的根源在于19nm TLC NAND闪存本身，Cell单元的充电电荷会随时间衰减，导致硬盘在获取正确数据的时候不得不反复尝试读取，进而影响性能，所以是不可能从根本上解决的，三星的方法只不过是间歇性地强制刷新数据，从而避免数据“变老”。
为了方便用户手动控制，Magician 4.6版工具还加入了高级性能优化(Advanced Performance Optimization)，类似三星此前给出的性能恢复工具，用户让固态硬盘重写所有内部数据。
这自然会消耗山村的一部分编程/擦写循环，而且考虑到TLC闪存的寿命本来就相对较短，是不是更不耐用了？这个要从两方面看了：首先，寿命缩短是必然的；其次，不会短到没法用，因为TLC的编程/擦写循环至少有1000次，而即便你每周刷新一次，持续五年，也只会消耗总次数的26％，剩下的仍然够用好多年的。
另外，三星已经开始全面转向3D V-NAND，新的立体闪存比传统平面闪存更加可靠，不会再有类似的问题了。
